เลเซอร์ไดโอด 14 พิน 1550nm

พารามิเตอร์

เครื่องหมาย

นาที

สูงสุด

หน่วย

เงื่อนไข

อุณหภูมิกรณีปฏิบัติการ

ทีซี

-20

+70

ºC

อุณหภูมิในการจัดเก็บ

ทีเอสทีจี

-40

+85

ºC

กระแสไฟ DC ไปข้างหน้าด้วยเลเซอร์

ถ้า

-

100

มิลลิแอมป์

เลเซอร์แรงดันย้อนกลับ, DC

วีเอฟ

-

2.0

V

กระแสเทค

ไอเทค

-

1.5

A

แรงดันไฟฟ้า TEC

วีเทค

-

2.6

V

อุณหภูมิการบัดกรีตะกั่ว

-

-

260

ºC

เวลาบัดกรีตะกั่ว

-

-

10

S

พารามิเตอร์

เครื่องหมาย

นาที

พิมพ์

สูงสุด

หน่วย

เงื่อนไข

เกณฑ์ปัจจุบัน

ไอทีเอช

-

85

100

มิลลิแอมป์

กำลังขับออปติคอล 1

ปณ

600

-

-

เมกะวัตต์

กำลังขับออปติคอล 2

ปณ

400

-

-

เมกะวัตต์

กำลังขับออปติคอล 3

ปณ

200

-

-

เมกะวัตต์

กระแสเลเซอร์ไปข้างหน้า

ถ้า

-

-

1000

มิลลิแอมป์

แรงดันไปข้างหน้าของเลเซอร์

วีเอฟ

-

2.3

-

V

พลังฟรีหงิกงอ

พิงค์

-

1.15*ปอ

-

เมกะวัตต์

ติดตามกระแสมืด

บัตรประจำตัวประชาชน

-

-

50

นา

อคติ -5V

ตรวจสอบการตอบสนองของเครื่องตรวจจับ

฿

1

5

10

ยูเอ/มิลลิวัตต์

ความยาวคลื่นกลาง

λc

973

974

975

นาโนเมตร

@-20~70 ºC

ความกว้างสเปกตรัมที่ -20dB

∆λ

-

0.4

0.6

นาโนเมตร

@-20~70 ºC

อัตราส่วนการปราบปรามโหมดด้านข้าง

สสส

20

40

-

เดซิเบล

กระแสไฟ TEC ที่ -20 ºC

ไอเทค

-

-

0.5

A

กระแส TEC ที่ 70 °C

ไอเทค

-

-

1.0

A

แรงดันไฟฟ้า TEC ที่ 70 °C

วีเทค

-

-

3

V

พลังงานโมดูลทั้งหมด
การบริโภคที่ 70 ºC

ปตโตลา

-

5

-

W

ความต้านทานของเทอร์มิสเตอร์

R

9.9

10

10.1

โคห์ม

@40 ºC

ค่าเทอร์มิสเตอร์ B-

-

3950

-

K

B25/50=3950K±1%

เสถียรภาพด้านพลังงาน

∆ป

-

-

3

%

@-20~70 ºC

ความยาวคลื่นตัดไฟเบอร์

-

-

960

-

นาโนเมตร

เส้นผ่านศูนย์กลางสนามโหมดไฟเบอร์

-

5.4

5.9

6.4

อืม

แลมบ์ดา=980นาโนเมตร

เส้นผ่านศูนย์กลางของไฟเบอร์

-

-

250

-

อืม

คอร์นนิ่ง HI 1060

ความยาวไฟเบอร์

-

1.4

1.5

1.6

อืม

ขั้วต่อไฟเบอร์

-

เอฟซี/เอพีซี

-