โฟโตไดโอด InGaAs 32μm 10G TO46

 

 

• การตอบสนองสูง ( มากกว่าหรือเท่ากับ 0.7A/W): รับประกันการแปลงสัญญาณที่มีประสิทธิภาพ ลดการใช้พลังงานสำหรับ-การผลิตโมดูลออปติคัลขนาดใหญ่- เหมาะสำหรับผู้ซื้อขายส่ง InGaAs Photodiode TO46 ที่เน้นเรื่องประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

• กระแสมืดต่ำ (น้อยกว่าหรือเท่ากับ 1nA @5V): ลดสัญญาณรบกวนให้เหลือน้อยที่สุด ซึ่งสำคัญสำหรับ-แอปพลิเคชันโทรคมนาคมและการตรวจจับที่มีความแม่นยำสูง ข้อดีนี้ช่วยลดอัตราความล้มเหลวสำหรับการปรับใช้จำนวนมาก

• ความจุต่ำ (น้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.25pF): ช่วยให้ประสิทธิภาพแบนด์วิธ 10G มีความเสถียร ตอบสนองความต้องการความเร็วของโมดูล 10G SFP+ และเครือข่ายศูนย์ข้อมูล

• การเชื่อมด้วยเลเซอร์และแพ็คเกจ TO-CAN: ช่วยเพิ่มเสถียรภาพทางกลและความต้านทานความร้อน (อุณหภูมิในการทำงาน -40~85 องศา) ทำให้มั่นใจได้ถึงอายุการใช้งานที่ยาวนาน (มากกว่าหรือเท่ากับ 50,000 ชั่วโมง) และลดต้นทุนการเปลี่ยนทดแทนสำหรับไคลเอ็นต์โฟโตไดโอด InGaAs ที่ซื้อจำนวนมาก

• การสูญเสียผลตอบแทนต่ำ (มากกว่าหรือเท่ากับ 35dB): ลดการสะท้อนของสัญญาณ ปรับปรุงความสมบูรณ์ของระบบ-ซึ่งจำเป็นสำหรับโครงการโครงสร้างพื้นฐานโทรคมนาคม

 

 

• เครือข่ายโทรคมนาคม: ใช้งานได้กับระบบ SDH/SONET ซึ่งรองรับ-การรับสัญญาณความเร็วสูงใน-ลิงก์ใยแก้วนำแสงระยะไกล-เหมาะสำหรับการใช้งานในระดับสูง โฟโตไดโอด InGaAs ขนาด 32μm สำหรับการจัดซื้อจัดจ้างโทรคมนาคม

• โมดูลออปติคัล 10G SFP+: ใช้ในเครื่องรับส่งสัญญาณศูนย์ข้อมูลเพื่อแปลงสัญญาณออปติคัลเป็นสัญญาณไฟฟ้า ด้วยความจุต่ำ (น้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.25pF) ทำให้สูญเสียสัญญาณน้อยที่สุด

• การตรวจจับไฟเบอร์ออปติก: เหมาะสำหรับระบบการตรวจจับทางอุตสาหกรรม (เช่น การกำหนดระยะด้วยเลเซอร์ การตรวจสอบอุณหภูมิ) เนื่องจากมีความยาวคลื่นในการทำงานที่กว้าง (1100-1650 นาโนเมตร) และกระแสมืดต่ำ

• ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม: บูรณาการเข้ากับอุปกรณ์สื่อสารด้วยแสงสำหรับระบบอัตโนมัติในโรงงาน ซึ่งมีอายุการใช้งานยาวนาน (ผ่านการเชื่อมด้วยเลเซอร์) ช่วยลดต้นทุนการบำรุงรักษาสำหรับผู้ซื้อโฟโตไดโอด TO46 ขายส่ง

 

ขายหน่วย	รายการเดียว
ขนาดแพ็คเกจเดียว	20X15X5 ซม. (บรรจุภัณฑ์แบบยืดหยุ่น เหมาะสำหรับการขนส่งระหว่างประเทศ)
น้ำหนักรวมเดี่ยว	0.250 กก

จำนวน (ชิ้น)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
ระยะเวลาดำเนินการ (วัน)	14	20	30	ที่จะเจรจา

เรานำเสนอโซลูชัน InGaAs Photodiode ODM แบบกำหนดเองเพื่อให้ตรงกับความต้องการเฉพาะของคุณ:

• พารามิเตอร์ที่ปรับแต่งได้: เส้นผ่านศูนย์กลางของพื้นที่ไวต่อแสง (32μm/50μm/75μm), ประเภทบรรจุภัณฑ์ (TO46/TO56), ความยาวตะกั่ว และการออกแบบเลนส์

• วงจรการพัฒนา: 7-15 วัน (ตัวอย่างก่อน การผลิตจำนวนมากเริ่มต้นหลังจากได้รับการอนุมัติตัวอย่าง)

 

พารามิเตอร์	เครื่องหมาย	นาที.	พิมพ์	สูงสุด	หน่วย
พลังความอิ่มตัว	ปล	3	-	-	เดซิเบลเมตร
ไปข้างหน้าปัจจุบัน	ถ้า	-	-	10	มิลลิแอมป์
แรงดันย้อนกลับ	วีอาร์	-	5	15	V
อุณหภูมิกรณีปฏิบัติการ	สูงสุด	-40	-	85	ระดับ
อุณหภูมิในการจัดเก็บ	Tstg	-40	-	85	ระดับ
การบัดกรีด้วยตะกั่ว (อุณหภูมิ/เวลา)	-	-	260/10	-	วุฒิการศึกษา/วท

 

พารามิเตอร์	เครื่องหมาย	นาที.	พิมพ์	สูงสุด	หน่วย	สภาพการทดสอบ
ความยาวคลื่นปฏิบัติการ	λ	1100	-	1650	นาโนเมตร
การตอบสนอง	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,ลาห์=1310นาโนเมตร
กระแสมืด	รหัส	-	0.2	1	นา	วีอาร์=5วี
ความจุ	C	-	-	0.25	พีเอฟ	Vr=5V,f=1MHz กรณีเปิด
แบนด์วิธ	บว	10	-	-	กิกะเฮิรตซ์	โหลด Vr=5V,50 พร้อมความยาวตะกั่ว=6มม. ฝาเปิดอยู่
การสูญเสียผลตอบแทนทางแสง	อาร์แอล	35	-	-	เดซิเบล	แลมบ์ดา=1310นาโนเมตร

 

ป้ายกำกับยอดนิยม: 32μm 10g โฟโตไดโอด ingaas to46, จีน 32μm 10g โฟโตไดโอด ingaas to46 ผู้ผลิต, ซัพพลายเออร์, โรงงาน